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                    北京大學張志勇教授來蘇州納米所訪問交流

                      810午,應中科院蘇州納米所納米真空互聯實驗站(Nano-X)和創新實驗室(i-Lab)邀請,北京大學張志勇教授到訪蘇州納米所進行學術交流并作學術報告,報告題目為"碳納米管電子器件和集成電路:現狀與挑戰"。報告會由張珽研究員主持,副所長(主持工作)、黨委副書記王強斌和副所長李清文及所內相關領域師生參加了此次學術交流活動。 

                      半導體碳納米管具有優異的電學特性,是構建亞10納米以下場效應晶體管的理想溝道材料。張志勇教授經過十多年的前期研究,發展了一整套碳納米管CMOS器件的無摻雜制備技術,在此基礎上探索了其發展潛力。報告中,張志勇教授總結了碳基電子器件和集成電路的發展現狀,評估其優勢和潛力,探索碳基電子器件在邏輯電路、模擬電路、傳感器和其他特種器件和電路方面的應用價值。由于碳基集成電路的工程化發展受制于若干關鍵技術環節,張志勇教授重點揭示了碳基技術在晶圓級碳納米管陣列的制備、碳基MOS器件界面態、尺寸微縮、可靠性和穩定性等方面面臨的重要技術挑戰。 

                      報告結束后,在座師生紛紛踴躍提問,就自己感興趣的問題與張志勇教授做了深入的交流與探討,張教授結合自己的研究經驗對提問一一進行了解答。整個講座過程學術氛圍濃郁,在場師生受益匪淺。報告會后張志勇教授參觀了納米真空互聯實驗站,進一步了解平臺實驗條件及主要研究方向。此次來訪為促成雙方后續合作奠定了基礎。 

                      報告人簡介: 

                      張志勇,博士,北京大學教授,博士生導師。納米器件物理與化學教育部重點實驗室主任,碳基納米電子學研究中副主任。主要從事碳基納米電子學方面的研究,探索基于碳納米管的MOS集成電路、傳感器和其他新型信息器件技術,并推進碳基信息器件技術的實用化發展。發表SCI論文180余篇,SCI他引9000余次,H因子50。部分工作獲得中國高校十大科技進展、國家自然科學二等獎、中國科學十大進展。曾入選國家基金委優秀青年科學基金等,獲得中國青年科技獎、茅以升北京青年科技獎。 

                            報告會現場

                            參觀納米真空互聯實驗站


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